交流/备用电池供电切换电路

交流/备用电池供电切换电路

实时时钟模块介绍：该系列是一款高精度实时时钟芯片，内置晶振，支持IIC串行接口。 CPU可以利用该接口通过5位地址寻址来读写芯片上32字节寄存器的数据（包括时间）。 寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用SRAM寄存器）。 该系列内置晶体振荡器。 该芯片可保证时钟精度为±5ppm（25℃时），即年误差小于2.5分钟。 该芯片内置时钟精度调节功能，可以在大范围内校正时钟偏差（分辨率3ppm）。 ），可通过外部或内置数字温度传感器设置调整值以适应温度变化，实现宽温度范围内的高精度计时功能。 该系列内置一次性工业级电池或充电电池，在外部断电的情况下，可保证时钟使用寿命5至8年； 它有一个内部电源开关电路。 当芯片检测到主电源VDD低于电池电压时，芯片会自动切换到备用电池供电。 该系列内置单路定时/报警中断输出，报警中断时间最长可设置100年； 内置频率中断输出和倒计时中断输出。 该系列采用多种技术提高芯片可靠性，可满足实时时钟芯片的各种需求。 是选择高精度实时时钟时的理想选择。 该模块采用接口，与（UNO等）和Maple系列控制板非常兼容，也可以与其他单片机配合使用。

实时时钟模块特点： 低功耗：1.0μA典型值（时钟电路部分，Ta=25℃）。 工作电压：3.3V～5.5V，工作温度：民用级0℃～70℃，工业级-40℃～85℃。 标准IIC总线接口方式，最大时钟电路速度（4.5V~5.5V）。 可通过独立地址访问年、月、日、周、时、分、秒的BCD码输入/输出以及各时间寄存器的闰年自动调整功能（从2000年到2099年）。 可选择12/24小时制。 内置年、月、日、周、时、分、秒7字节报警数据寄存器和1字节报警权限寄存器。 内置12字节通用SRAM寄存器可用于存储用户的通用数据。 所有三种类型的中断都可以选择从INT引脚输出，并且有两个中断标志位。 单路报警中断功能可设置并自动复位（时间范围最多可设置100年），年、月、日、周、时、分、秒报警，有96种组合，有两种中断输出模式：单事件报警和周期报警。 周期性频率中断输出：从~1/16Hz...1秒内总共15个方波脉冲。自动复位8位倒计时器，4个可选时钟源（64HZ、1HZ、1/60HZ）。 内置晶振，时钟出厂前已校准，时钟精度±5ppm（25℃±1℃时），即年误差小于2.5分钟。

内置时钟精密数字调节功能，走时快慢可通过程序调节。 用户使用外置或内置温度传感器设定调整值以适应温度变化，可在较宽的温度范围内实现高精度计时功能（-10℃~50℃时小于5 ppm，小于5ppm）小于5 ppm（-40℃~85℃小于10ppm）。 内置自动电源切换功能，芯片根据不同电压自动从 VDD 切换到 VBAT 或从 VBAT 切换到 VDD。 在VBAT模式下，芯片具有使能或禁止中断输出的功能，可以满足后备电池供电时输出中断的需要。 内置充电电池和充电电路，电池累积电量可达5至8年以上。 内置一次性民用级电池使用寿命为3至5年，一次性工业级电池使用寿命为5至8年。 时间。 内置非易失性SRAM（C/D/E型），其读写次数达100亿次，内部写入延迟小于300ns。 内置2kbit~（F/B/C/D/E型），擦写次数为100万次，内置IIC总线0.5秒自动复位功能（从Start命令开始的时间）保证了时钟数据的有效性和可靠性。 避免总线挂起问题。 内置三个时钟数据写保护位，避免数据意外写入，更好地保护时钟数据。 内置VBAT模式IIC总线通讯禁止功能，从而避免电池供电时CPU时钟运行所消耗的电池电量，同时也防止在开启主电源的过程中CPU的I/O口输出不受抑制开启和关闭。 可以通过杂波信号控制时钟芯片的误写操作，进一步提高时钟芯片的可靠性。 内置上电复位电路和指示位； 内置电源稳压器，内部定时电压可低至1.5V。 芯片管脚抗静电（ESD）>4KV。 外形尺寸： 实物购买链接：