【简讯】Redmi K40系列外观首度公布；台积电EUV工艺获突破…

【简讯】Redmi K40系列外观首度公布；台积电EUV工艺获突破…

Redmi K40系列外观首次公布

前段时间，Redmi官方宣布将于2月25日发布2021年旗舰——Redmi K40系列。今天上午，Redmi品牌总经理卢伟冰公布了Redmi K40系列的外观，透露了这款Redmi K40系列的外观设计。首次推出新年佳作。

从图片来看，Redmi K40系列背面的外观设计与以往有很大不同。 后置三颗摄像头放置在背面的左上角。 它继承了老大哥小米11的设计风格，采用了“天使眼”加持的大眼睛造型。 也成为了小米手机新一代的家族式设计。

值得一提的是，Redmi K40系列的海报还显示，本次发布会将推出两款旗舰机型。 这也是Redmi官方首次透露该系列的具体型号信息。

根据此前曝光的信息，Redmi K40系列将标配直面打孔屏，并采用业界最小的2.8mm前置开孔。 视觉效果非常出色，也能为用户提供出色的游戏和视听体验。 经验。

还有消息称，红米K40将搭载三星顶级E4材质OLED显示屏，与小米11相同，不仅拥有更高的亮度、对比度、色彩还原度，还支持120Hz刷新率。 同时，基于高规格配置还可以进一步降低功耗。 消耗。

值得一提的是，从此前曝光的真机谍照来看，卢伟冰此次发布的外观图应该是Redmi K40标准版，其主摄采用了64兆传感器。 Redmi K40 Pro的后置摄像头将采用相同的外观设计，但摄像头数量将升级为4个，主摄像头也将升级为108兆像素传感器。 这是小米首次将 108 兆像素提升到中端机型。 。

-P非易失性存储器标准公布

近日，JEDEC固态技术标准协会发布了DDR4-P非易失性存储器标准规范，序列号-4.01，断电后也能不丢失数据，完全兼容DDR4存储器标准。

根据规格，这款新内存与普通 DIMM 内存标准和固件兼容，可以最大限度地减少对现有设备和平台的更改。 同时，它为新内存提供了低延迟接口，提高了易用性，未来也将兼容和支持。 DDR5。

-P的新特性：

耐用性：操作系统对非易失性存储器具有低延迟、高带宽的访问能力。

虚拟化内存：在 DDR 通道上启用尽可能多的内存容量。

大容量：支持扩展内存寻址能力。

支持即插即用：当电脑开机时，可以直接插入标准双列内存插槽，立即与同一总线上的DDR内存交互。

-P的主要特点：

与现有DDR通道完全兼容，包括物理接口、电气性能、协议和时钟。

确保下一代CPU插槽添加尽可能少的引脚。

该协议支持数据读取中的非确定性延迟。

确保数据位于非易失性内存中以进行事务操作。

支持从 NAND 到 DRAM 的多种延迟模式（模块级别）。

存储器本身具有高可靠性和链接错误保护功能。

事实上，它是一系列的标准。 这里除了-P之外，还有-F、-N、-H。

OPPO或在MWC上发布空气充电技术

据2月19日消息，OPPO宣布将于2月23日在MWC上海上公布OPPO闪充生态系统。有猜测称，OPPO将在本次活动上发布空对空充电技术。 此前，2020年愚人节，OPPO展示了空对空无线充电技术。 当时大家都以为这只是愚人节玩笑，但OPPO闪充团队已经在研发空对空无线充电技术。

OPPO VOOC闪充首席科学家张嘉良表示，空对空无线充电技术没有技术障碍，甚至可以实现远距离无线充电。 然而，问题在于最终的产品化。 目前有法律法规要求、设备安全和人身安全。 要求和成本要求。

VOOC闪充技术作为OPPO自主研发的快充技术，已在全球申请了1000多项核心专利。

从2014年OPPO Find 7发布开始，第一代VOOC闪充问世，大大缩短了用户手机充电的时间。 随后随着N3、R5的推出，VOOC闪充升级到了第二代，之后又升级到了R9系列。 ，VOOC闪充给内部结构带来更多优化，极端条件下的续航能力得到大幅提升。

作为闪充领域的第一玩家，此次OPPO会给MWC带来怎样的惊喜，我们拭目以待。

台积电EUV工艺取得突破

在ISSCC 2021国际固态电路大会上，台积电联席CEO刘德音公布了公司最新工艺进展，指出3nm工艺超出预期，进度将提前推进。

不过，刘德银并未透露3nm工艺有多先进。 根据他们公布的消息，3nm工艺将于今年下半年试产，2022年正式量产。

与三星在3nm节点激进地选择GAA环绕栅极晶体管技术不同，台积电的第一代3nm工艺更加保守，仍然使用晶体管。 与5nm工艺相比，台积电的3nm工艺晶体管密度提高了70%，速度提高了11%，功耗降低了27%。

无论是5nm还是3nm工艺，甚至未来的2nm工艺，台积电表示EUV光刻机变得越来越重要，但产能对于EUV光刻来说仍然是个问题，而且能耗也很高。

刘德银提到，台积电在EUV光源技术上取得了突破，功率高达350W，不仅可以支持5nm工艺，未来甚至可以用于1nm工艺。

根据台积电提出的路线图，他们认为半导体技术将继续遵守摩尔定律，每两年升级一次新一代技术，10年进行一次重大技术升级。

GT正式上线

日前官方已经正式宣布，将于3月4日召开新品发布会，正式发布2021年初旗舰—— GT。

据相关消息显示， GT正式是曝光已久的Race机型。 此前有消息称，该机将搭载顶级的骁龙888芯片，并配备125W超级快充技术。 这也是市场上知名度最高的手机。 快速充电功率。

遗憾的是，从 GT的3C认证数据来看，该机仅标配65W充电头。 之前宣传的125W超级快充可能因为产品优化的一些问题而被砍掉。

不过，你也不必太遗憾。 虽然 GT取消​​了125W快充技术，但此前的消息显示该机在其他方面的硬件配置也非常强悍。 据此前消息， GT将配备顶级超高刷新屏幕，采用6.8英寸打孔设计，分辨率为3200*1400，支持160Hz超高刷新率，也是业界刷新率最高的手机显示屏。

核心上， GT不仅搭载了骁龙888旗舰处理器，还拥有高达12GB的内存规格。 它内置有大容量电池。 这块大电池也是125W快充未能如期到来的重要原因之一。