美光揭秘最先进1β内存：13nm工艺、无需EUV光刻机

美光揭秘最先进1β内存：13nm工艺、无需EUV光刻机

全球DRAM内存芯片主要由三星、SK海力士、美光三家垄断。 三大公司的份额高达95%。 同时，技术也领先。 不久前，美光率先宣布量产1β存储芯片，这是目前最先进的存储芯片。 芯片。

内存技术进入20nm节点后，制造商的名称发生了变化。 都叫10nm内存，但是还有更详细的划分。 在此之前，有1x、1y和1z三代，随后是1α、1β和1γ。

在1α、1β、1γ三代中，三星开始在1α上使用EUV光刻，但成本很高。 美光目前量产的1β工艺是最先进的。

1β相当于多少nm？ 美光日前在日本召开沟通会，介绍了1β内存的一些进展，指出其工艺水平相当于13nm，并且美光仍然没有采用EUV工艺，避免了昂贵的光刻机。

美光没有采用 EUV 光刻，而是主要采用第二代 HKMG 工艺、ArF 浸液多次光刻等工艺进行 1β 存储器，实现存储密度提升 35%，同时节省 15% 的功耗。

1β之后会有1γ工艺，估计是12nm级别，制造难度加大，但美光目前还没有明确是否使用EUV光刻机。 他们的目标很可能是继续利用现有的工艺改进来避免EUV光刻机的成本。